?Q2 DRAM價格仍維持高點，NAND受3D TLC沖擊持續(xù)走跌

內(nèi)存模組廠商創(chuàng)見第一季因 NAND Flash 跌價，獲利較去年同期年減 16.6%，較上季獲利衰退 19.6%。展望第二季，第二季 DRAM 合約價仍維持高點，但 NAND 仍供過于求，估計要待下半年，NAND Flash 降價壓力才會獲得抒緩。

在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)上，以第一季來看，工控產(chǎn)品占整體營收比重 46.9%、策略性產(chǎn)品占 21.8%、消費型 Flash 產(chǎn)品占17.8%，標準型 DRAM 產(chǎn)品則占 13.5%。

創(chuàng)見第一季毛利率達 22.2%，為近一年來的新低水準，主要因 NAND  Flash 價格走跌，產(chǎn)品價格也有壓力，造成毛利率向下；在業(yè)外部分，創(chuàng)見持有現(xiàn)金部位中，美元比重達七成，第一季因為臺幣升值，造成匯損沖擊。

展望第二季，目前看來第二季 DRAM 內(nèi)存合約價格仍會維持高點，NAND 則會持續(xù)受到 3D TLC 產(chǎn)能開出，市場供給增加，第二季供過于求的狀況會持續(xù)，價格也恐怕會持續(xù)走跌。至于業(yè)外，隨著匯率趨穩(wěn)，第一季的匯損在第二季可望回沖。

展望下半年，創(chuàng)見預(yù)期，隨著手機容量的搭載 NAND Flash 比例可望提升，帶動需求，下半年 NAND Flash 的降價壓力可望抒緩，創(chuàng)見也會適時彈性調(diào)整價格因應(yīng)。

另外，創(chuàng)見則持續(xù)加強利基的策略性產(chǎn)品，優(yōu)化產(chǎn)品線，包括蘋果升級方案、固態(tài)硬盤等等，而在工控領(lǐng)域，創(chuàng)見也推出 3D TLC NAND 閃存導(dǎo)入嵌入式解決方案，傳輸效能直逼 MLC 平面（2D）閃存，但價格卻更具競爭力。