?TI推出業(yè)內最小、最快的GaN驅動器，擴展其GaN電源產品組合

兩款新型FET驅動器有助于納秒級LiDAR應用和50MHz DC / DC轉換器。

2018年3月8日，北京訊——德州儀器（TI）（NASDAQ： TXN） 近日宣布推出兩款新型高速氮化鎵（GaN）場效應晶體管（FET）驅動器，進一步擴展了其業(yè)內領先的GaN電源產品組合，可在激光雷達（LIDAR）以及5G射頻（RF）包絡追蹤等速度關鍵應用中實現(xiàn)更高效、性能更高的設計。LMG1020和LMG1210可在提供50 MHz的開關頻率的同時提高效率，并可實現(xiàn)以往硅MOSFET無法實現(xiàn)的5倍更小尺寸解決方案。

憑借業(yè)內最佳的驅動速度以及1 ns的最小脈沖寬度，LMG1020 60-MHz低側GaN驅動器可在工業(yè)LIDAR應用中使用高精度激光器。小型晶圓級芯片（WCSP）封裝尺寸僅為0.8 mm x 1.2 mm，有助于最大限度地減少柵極環(huán)路寄生和損耗，進一步提升效率。

LMG1210是一款50-MHz半橋驅動器，專為高達200 V的GaN場效應晶體管而設計。該器件的可調死區(qū)時間控制功能能夠將高速DC / DC轉換器、電機驅動器、D類音頻放大器及其它功率轉換應用效率提高多達5％。設計人員可利用超過300 V / ns的業(yè)內最高共模瞬態(tài)抗擾度（CMTI）實現(xiàn)較高的系統(tǒng)抗噪聲能力。

LMG1020和LMG1210的主要特點和優(yōu)勢

·高速：這兩款器件可提供超高速傳播延遲（2.5 ns ［LMG1020］和10 ns ［LMG1210］），使電源解決方案比采用硅驅動器快50倍。另外，LMG1020能夠提供高功率1ns激光脈沖，實現(xiàn)遠程LIDAR應用。

·高效率：這兩款器件均可實現(xiàn)高效率設計。 LMG1210提供1 pF的低開關節(jié)點電容和用戶可調的死區(qū)時間控制，可將效率提高多達5％。

·功率密度：LMG1210中的死區(qū)時間控制集成功能可減少元件數(shù)量并提高效率，使設計人員能夠將電源尺寸降低多達80％。功率密度增加的LMG1020，使LIDAR具有業(yè)內最小封裝和最高分辨率。

TI GaN產品的優(yōu)勢

LMG1020和LMG1210是業(yè)界最大的GaN電源產品組合中的最新成員，從200V驅動器到80V和600V功率級。憑借超過1，000萬小時的GaN工藝可靠性測試，TI提供可靠的GaN產品以滿足對成熟和即用型解決方案的需求，為GaN技術帶來數(shù)十年的硅制造專業(yè)技術和高級器件開發(fā)人才。

在APEC上參觀TI展臺

TI將于當?shù)貢r間2018年3月4日至8日參展在得克薩斯州圣安東尼奧市舉行的美國國際電力電子應用展覽會（APEC），并展示其廣泛的GaN產品組合以及GaN技術。

加快設計所需的支持和工具

設計人員可以使用LMG1020EVM-006和LMG1210EVM-012評估模塊和SPICE模型快速輕松地評估這些新器件。工程師可以利用LIDAR的納秒激光驅動器參考設計和高速DC / DC轉換器的多兆赫GaN功率級參考設計，快速開始他們的氮化鎵設計。